本报讯：日前，我国科学家利用超高真空低温扫描隧道显微镜和图像计算模拟相结合的方法，在国际上首次唯一 地确 定了碳60单分子在硅表面的取向状态。

　　多年来在国际上单分子取向研究一直没有获得突破性进展。最近，中国科技大学侯建国、杨金龙教授和朱清时院 士及 其合作者成功地解决了上述难题，在国际上第一次唯一地确定了单分子的取向。同时，这项研究所采取的方法，对研究 其他三 维结构的单分子具有重要的价值。研究成果已经以论文的形式发表在美国物理学会的《物理学评论快报》上，该学会 的物理新 闻网站也同时发布了相关图片。据了解，这是该网站自1996年建立以来，首次发布中国科学家的研究成果图片 。 （赵如 江）